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五.總結(jié)

本文以Banba結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),進(jìn)行了適當(dāng)?shù)母倪M(jìn),提高了電路的PPM,使用TSMC35mm工藝,設(shè)計(jì)了一個(gè)帯隙基準(zhǔn)電路。電路性能如表5.1。

  表5.1 帯隙基準(zhǔn)電路性能

  電源電壓 5V 溫度范圍 -50℃-100℃ 功耗 1.61mW 輸出電壓 1.80V 溫度系數(shù) 3.508ppm/℃ PSRR -40dB

  帯隙基準(zhǔn)電路的整體結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單,使用的結(jié)構(gòu)也是常見(jiàn)的方式。設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是調(diào)節(jié)電路參數(shù),優(yōu)化溫度系數(shù),盡量減小PPM。另外放大器和啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)也是整個(gè)電路的關(guān)鍵部分,自啟動(dòng)電路電路是以前未曾接觸過(guò)的內(nèi)容。

  存在問(wèn)題:

  1) .電路的電源抑制比PSRR不是很大,只有-40dB。根據(jù)參考文獻(xiàn)中的分析,可以達(dá)到-100dB。但是通過(guò)掃描電路參數(shù),始終無(wú)法得到更大的電源抑制比。經(jīng)過(guò)分析,可能的原因是放大器的性能限制了電源抑制比,因?yàn)樵O(shè)計(jì)開(kāi)始時(shí)對(duì)放大器的性能考慮不夠多。

  2) .本文采用的Banba結(jié)構(gòu)仍然屬于一階帯隙基準(zhǔn)電路,雖然PPM已經(jīng)達(dá)到性能要求,但是現(xiàn)在已經(jīng)有二階溫度補(bǔ)償帯隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu),原理是引入一股與溫度成平方關(guān)系的電流,既補(bǔ)償了低溫階段的基準(zhǔn)電壓,又補(bǔ)償了高溫階段的基準(zhǔn)電壓,大大提高了基準(zhǔn)電壓源隨溫度變化的穩(wěn)定性。二階溫度補(bǔ)償帯隙基準(zhǔn)電路可以很好的控制基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù),增大電源抑制比,由于時(shí)間限制沒(méi)有進(jìn)行設(shè)計(jì)。

  3) .電路的輸出電壓隨著電源電壓的上升比較緩慢,這個(gè)從圖4.8中就可以看出來(lái),沒(méi)有達(dá)到理想的快速上升。 哪里有射頻培訓(xùn)機(jī)構(gòu)

 
 
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