五．總結(jié)
本文以Banba結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，進(jìn)行了適當(dāng)?shù)母倪M(jìn)，提高了電路的PPM，使用TSMC35mm工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)帯隙基準(zhǔn)電路。電路性能如表5.1。
表5.1 帯隙基準(zhǔn)電路性能
電源電壓
5V
溫度范圍
-50℃-100℃
功耗
1.61mW
輸出電壓
1.80V
溫度系數(shù)
3.508ppm/℃
PSRR
-40dB
帯隙基準(zhǔn)電路的整體結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，使用的結(jié)構(gòu)也是常見的方式。設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是調(diào)節(jié)電路參數(shù)，優(yōu)化溫度系數(shù)，盡量減小PPM。另外放大器和啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)也是整個(gè)電路的關(guān)鍵部分，自啟動(dòng)電路電路是以前未曾接觸過的內(nèi)容。
存在問題：
1) .電路的電源抑制比PSRR不是很大，只有-40dB。根據(jù)參考文獻(xiàn)中的分析，可以達(dá)到-100dB。但是通過掃描電路參數(shù)，始終無法得到更大的電源抑制比。經(jīng)過分析，可能的原因是放大器的性能限制了電源抑制比，因?yàn)樵O(shè)計(jì)開始時(shí)對(duì)放大器的性能考慮不夠多。
2) .本文采用的Banba結(jié)構(gòu)仍然屬于一階帯隙基準(zhǔn)電路，雖然PPM已經(jīng)達(dá)到性能要求，但是現(xiàn)在已經(jīng)有二階溫度補(bǔ)償帯隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)，原理是引入一股與溫度成平方關(guān)系的電流，既補(bǔ)償了低溫階段的基準(zhǔn)電壓，又補(bǔ)償了高溫階段的基準(zhǔn)電壓，大大提高了基準(zhǔn)電壓源隨溫度變化的穩(wěn)定性。二階溫度補(bǔ)償帯隙基準(zhǔn)電路可以很好的控制基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)，增大電源抑制比，由于時(shí)間限制沒有進(jìn)行設(shè)計(jì)。
3) .電路的輸出電壓隨著電源電壓的上升比較緩慢，這個(gè)從圖4.8中就可以看出來，沒有達(dá)到理想的快速上升。
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