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(3.4)

2. Banba結(jié)構(gòu)的參數(shù)設(shè)計

  2.1 帯隙部分的設(shè)計

  T=300K時,Is=4.3e-18A,,。取n=100,R3=100K,

  (3.5)

  (3.6)

  代入式(2.6)得到,。由式(3.4),令,所以

  (3.7)

  (3.8)

  n=100,R3=100K時,得到R2=422K。所以:

  (3.9)

  要求Vref=1.8V,則R4=633K。

  流過MOS管的電流為:

  (3.10)

  M1,M2,M3管的尺寸: 哪里有射頻培訓(xùn)機構(gòu)

 
 
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